Полевые микротранзисторы NXP

Компания NXP Semiconductors в 2008 году создала самые маленькие в мире серийные дискретные транзисторы в корпусе SOT883. Благодаря своим ультрамаленьким размерам (всего 1.0 x 0.6 мм), корпус SOT883 транзисторов MOSFET компании NXP имеет показатели рассеиваемой мощности и быстродействия сравнимые с показателями транзисторов в корпусе SOT23, в то время как занимают только 14% их площади на печатной плате. Ультрамаленький корпус SOT883 транзисторов MOSFET разработан для широкого применения в приложениях, включая модули DC/DC-преобразователей, источники питания для жидкокристаллических телевизоров, переключатели нагрузки для мобильных телефонов и другой портативной техники. Созданные на проверенной бессвинцовой технологии изготовления плоских корпусов с четырёхсторонним расположением выводов (Quad Flat technology), транзисторы MOSFETs SOT883 компании NXP имеют эффективный и экологически чистый корпус, который все еще обеспечивает высокий уровень производительности, необходимый для работы современных сотовых телефонов и компьютерные приложения для мобильных устройств. В дополнение к существенному уменьшению площади МОП-транзисторов MOSFET, NXP создала безвыводные корпуса, что позволяет высвободить дополнительное место на печатной плате и улучшить тепловые характеристики. Эта комбинация превосходных показателей теплового сопротивления и сопротивления открытого канала Rds(on) менее чем Ом при напряжении в 2.5 В, позволяет новым МОП-транзисторам компании NXP выдерживать предельную нагрузку по току больше, чем это делают МОП-транзисторы размером 1.0 x 0.6 мм. Транзисторы новой серии также демонстрируют лучшую в этом классе скорость переключения со временем включения 12-16 нс и временем выключения 17-24 нс. Использование новых транзисторов позволит повысить плотность компоновки, быстродействие и мощность компактных приборов собранных с применением компонентов поверхностного монтажа.