IRFB812PBF новый силовой транзистор на 500В от IR

Компания International Rectifier вновь приступила к производству полевых силовых HEXFET транзисторов. Первой моделью стал 500В транзистор IRFB812PBF. Транзисторы предназначены для импульсных источников питания с «мягким» переключением (нуль-вольтовым), для бесперебойных источников питания и систем управления электроприводом. Преимущества: быстродействующий диод уменьшает число внешних компонентов обвязки;- низкий заряд затвора упрощает управление; высокий порог напряжения затвора улучшает стойкость прибора к шумам. Технические характеристики: Корпус: ТО-220АВ Напряжение пробоя: 500В Макс. напряжение затвора: 20В Сопротивление открытого канала макс. (10 В): 2200 мОм Ток стока (25°С): 3.6А Заряд затвора: 13.3 нКл Термосопротивление: 1.6 К/Вт Мощность рассеяния (25°С): 78Вт