Полупроводниковый материал SiGe

На протяжении нескольких десятилетий кремний и германий были двумя основными конкурирующими материалами полупроводниковых технологий. В последние 20 лет их противостояние, казалось бы, завершилось победой кремния. Однако в 2005 году компания IBM объявила о запуске в серию транзисторов по кремниево-германиевому (SiGe) полупроводниковому процессу, в котором сырьем являлся соединение этих двух полупроводников. Работы по Кремниево-германиевой технологии были начаты компанией IBM в 1989 году и основной задачей было создание приборов для работы на высокой частоте. Кроме того в процессе исследований были открыты особые свойства кремниево-германиевого соединения: высокая надежность и живучесть за счет малой температурной зависимости;• низкая стоимость, сравнимая со стоимостью кремния; • широкий частотный диапазон до 110 ГГц; • низкий уровень шума; • низкое энергопотребление; • возможность комбинации с обычными CMOS схемами на одной и той же кремниевой подложке. SiGe-технологии позволяют еще больше миниатюризировать полупроводниковые системы за счет очень высокой интеграционной плотности и создавать однокристальные решения для целой системы. Одним из важнейших направлений, в которых используются эти технологии, является создание быстродействующих систем беспроводной передачи данных. Чипсет mmWave с расчетной рабочей частотой 60ГГц созданный по кремний-германиевой технологии в 2007 году быстрее Wi-Fi в 100 раз.