Нанопроволочные транзисторы

Освоение новых технологических размеров для полупроводниковых технологий происходит практически каждое десятилетие, а порой и несколько лет. И ближайшим таким прорывом, который должен произойти не позднее 2015года является появление транзисторов по технологии 10 нанометров. Группа американских исследователей из гарвардского университета, заменивших кремний в таком транзисторе на объемные структуры из нанопровода. В обычном объемном полевом транзисторе, отдельные компоненты такие же, как в стандартном, плоском, MOSFET-е, но вместо того, каждый слой пресекал друг друга, металлический затвор оборачивается вокруг пластинки кремния, элементом в форме петли или воротника. Это требует процесса, называемого атомное осаждение слоев (ALD), где каждая часть транзистора эффективно наращивается с нуля, атом за атомом. В новом транзисторе, нанопровода изготовлены из сплава арсенид индия-галлия для замены кремния в основании и технология ALD используется для нанесения высокопрочного диэлектрика. Арсенид индия-галлия, это один из новых полупроводниковых материалов, который вместе с графеном придет на смену кремния. Подвижность электронов в этом материале значительно выше, чем в традиционных полупроводниках, а, следовательно, напряжение открывания ключа собранного на его основе, будет значительно ниже, а рабочая частота напротив повысится. В итоге это позволит создать новые чипы значительно большего быстродействия, с использованием технологии доступной серьёзным производствам уже сейчас.