Явление дополнительного электрического поля

При изучении работы полупроводниковых приборов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник, проведенных под научным руководством профессора Р. К. Мамедова, было обнаружено явление дополнительного электрического поля. Согласно теоретической модели Шоттки [2], если определенная поверхность металла с работой выхода ФМ непосредственно контактируется с поверхностью полупроводника n – типа с работой выхода ФS и ФМ ~ ФS, то КМП обладает омическими свойствами и схематически изображается как на рисунке 1а. В действительности, при непосредственном контакте металла с полупроводником, работы выхода (~ 4–5 эВ) их свободных поверхностей, примыкающих контактной поверхности остаются неизменными, а высота потенциального барьера контактной поверхности становиться порядка 1 эВ. Возникновение контактной разности потенциалов между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводника образует ДЭП с интенсивностью EF вокруг боковой области металла, которое при микро - и нано КМП полностью охватывает приконтактную область полупроводника, как это схематично представлено на рисунке 1(b). Явление возникновения ДЭП в реальных КМП позволяет открывать новые научные направления в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, твердого тела, тонких пленок, поверхности, нанофизики, микроэлектроники, фотоэлектроники, биоэлектроники, наноэлектроники и др. Это явление позволяет более глубоко и детально интерпретировать процессы, происходящие в реальных контактных структурах конденсированных сред.