Карбид кремния

Карбид кремния (или карборунд) - полупроводниковый материал. Чистый карбид кремния стехиометрического состава - бесцветные кристаллы с алмазным блеском. Технический карбид кремния может иметь разнообразную окраску: белую, серую, желтую, зеленую и черную. Цвет материала зависит от сырья и технологии получения кристаллов и определяется как типом и количеством примеси, так и степенью отклонения состава от стехиометрического. Ширина запрещенной зоны для кристаллов SiC составляет 2,39 электрон-Вольт, для различных модификаций SiC ширина запрещенной зоны может иметь значение в пределах от 2,72 до 3,34 электрон-Вольт. Большие значения ширины запрещенной зоны позволяют создавать на его основе полупроводниковые приборы, сохраняющие работоспособность при температурах до 600оС. Применение карбида кремния: Монокристаллический SiC используют для изготовления радиационностойких светодиодов, обладающих очень высокой надежностью и стабильностью работы. Его можно использовать для изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высокой энергии, терморезисторов, Из поликристаллического SiC выращивают монокристаллы или путем дробления получают порошки. Поликристаллический SiC используют в производстве нелинейных резисторов (варисторов). Для этих целей изготавливают многофазовые материалы на основе порошкообразного SiC, скрепленного связующим веществом. SiC является перспективным полупроводниковым материалом для высокотемпературной и высокочастотной электроники.